1台3役の能力を備えた業界標準システムの最新バージョン
絶縁劣化の代表的現象であるイオンマイグレーションの発生時点を正確に捉えることができ、絶縁劣化評価、絶縁抵抗測定、絶縁特性評価をこの1台で行える3 Way Useタイプです。無洗浄化、結露対策、無鉛はんだ対応時のイオンマイグレーション評価や高密度実装用インタポーザ、ビルドアップ基板などの絶縁信頼性評価に最適です。

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槽内で連続的に交流測定及び直流4端子測定が可能
従来からの交流測定に加え、DC印加による微小抵抗の槽内連続測定が可能な2 Way Useの微小抵抗測定システム。実デバイスによる接続信頼性評価や車載用実装基板の導通信頼性評価など、DC測定でなければならない領域での信頼性評価が可能です。1台のパソコンでMLR 22と試験器を一元管理でき、温（湿）度情報や抵抗値、ワイブルプロットデータなどを提供します。

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業界初のパルス印加方式による絶縁劣化特性評価システム
絶縁劣化・特性評価システムの標準機であるSIR13の機能に、DCパルス（−100V〜＋100V）印加機能を付加した新しい計測システムです。AC印加ではストレスが大きすぎる狭ピッチ配線間の絶縁評価やフィルムの層間、デバイス評価など、多様な評価に対応できます。パルス波形はプラス電圧、0V、マイナス電圧の4セグメントを任意に設定でき、より実動作に近いストレスでの評価が可能です。

抵抗変化を多チャンネル同時に高速検出
抵抗変化を高速（200nS）に検出し、なおかつ広範囲な抵抗測定を多チャンネル同時に連続して行える装置です。温度サイクル試験器と同期しての抵抗測定が可能であり、はんだボールの初期不良検出（IPC9701準拠）、コネクタの挿抜試験による接触不良検出、リレー、スイッチのチャタリング検出などに最適です。

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コンデンサの温度特性を槽内連続測定
|Z|=100Ω以上
コンデンサの主要特性である容量（C）、Tanδ（D）、インピーダンス（100Ω以上に対応）など、各種特性を自動計測し、データ収集からグラフ表示までを一貫サポートします。温度依存性が高い積層セラミックコンデンサなどの評価に最適です。

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コンデンサの周波数特性を槽内連続測定
|Z|=100Ω以下
コンデンサの主要特性である容量（C）、Tanδ（D）、インピーダンス（100Ω以下に対応）など、各種特性を自動計測し、データ収集からグラフ表示までを一貫サポートします。周波数依存性が高いアルミ電解コンデンサなどの評価に最適です。

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コンデンサの絶縁劣化、リーク電流を槽内連続測定
ストレス電圧と測定電圧は個別に設定でき、コンデンサやLCフィルタなど、容量を持つ試料の絶縁抵抗、リーク電流を温湿度データと共に自動計測します。試料をセットする測定治具（最小1005まで対応）と専用ラックも合わせてお届けします。

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長時間にわたるコンデンサの寿命試験を全自動化
1ch当たり最大で500V・50mAのハイパワー設計で、高精度なコンデンサ寿命試験を全自動で行います。1ch（コンデンサ20ヶ）ごとに電圧印加を常時行い、任意の時間間隔で電流計測が可能です。 測定治具、高温負荷用オーブン、専用ソフトウエアを一体開発した、完成度の高い槽内連続測定システムです。

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多数の試料に対し、ゲート酸化膜の信頼性評価を同時に測定可能
TDDB法により、ゲート酸化膜の信頼性評価を行うことを目的とした装置です。チャンネル毎に電源を備えているため、ゲート酸化膜に対する電界依存性、電流密度依存性を多数の試料に対して同時に測定することができる上、多水準測定も可能です。マニュアルプローバ、恒温槽、フルオートプローバとの接続が可能です。

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EM評価において大電流印加、高精度測定を実現
コンパクト設計のEMオーブンと組み合わせて大量のTEGを異水準で同時に評価するV100モデルと DHS（ダイレクトヒーティングシステム）と組み合わせて300℃までの高温加速ストレスを評価するV200モデルを開発。いずれのシステムも配線信頼性評価の1つであるエレクトロマイグレーション現象を高電流印加、高精度測定で評価することができます。

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GMRヘッド用のエレクトロマイグレーション装置
ハードディスク装置（HDD）のセンサ部分に使用されているGMRのエレクトロマイグレーション現象を高精度に評価できるシステムです。TEGの抜き差しの際、GMR膜を破壊しないよう、ESD対策も考慮されており、TEG形状は、DIP600ミル28pin及びHGAにて評価が可能です。

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充放電試験の自動化、材料開発、特性試験の省力化を実現施
リチウムイオン電池、ニッケル水素電池などの二次電池の特性評価や各種材料開発の評価を高精度に行える槽内連続測定システムです。定電流、定電圧、定電力、パルス充放電など、多様な用途に対応できます。

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